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本发明提供一种深硅刻蚀制作高精度通孔的方法。现有方法刻蚀深度空间分布不均匀，从而改变硅通孔的侧壁及底部轮廓。本发明方法首先在基底上依次制备SiO2薄膜层和多晶硅薄膜，然后通过紫外光刻将所设计圆环相间的图形转移到裸硅片背面的光刻胶上，再按照图...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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