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本发明提供了一种多晶硅二次加料装置及方法，多晶硅二次加料装置包括石英管、石英半球及石英柱，所述石英管为上下开口的圆管；所述石英半球位于所述石英管下方，所述石英半球的直径大于所述石英管直径；所述石英柱位于所述石英管内部，所述石英柱下端与所述石...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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