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本实用新型涉及一种混压高频微波基板，包括基底基材；高频基材，其混压至该基底基材上以形成混压基材；离子注入层，其通过离子注入方法注入该混压基材的表面下方，其中，该离子注入层的注入材料与该混压基材形成稳定的掺杂结构，该掺杂结构在该混压基材的表面...
该专利属于武汉光谷创元电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉光谷创元电子有限公司授权不得商用。

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