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本申请提供一种四元系透明衬底发光二极管制作方法和四元系透明衬底发光二极管，提出透明衬底键合技术，将四元系GaAs衬底发光二极管外延片转移至透明衬底上，代替吸光材质的衬底，从而提高发光效率，另外，对GaP层进行了粗化，并且在GaP层上形成了渐...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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