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一种改善LED外延片表面形貌的方法，所述生长方法包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，所述缓冲层为不同生长温度梯度下的GaN叠层，且生长温度依次升高。本发明采用...
该专利属于合肥惠科金扬科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥惠科金扬科技有限公司授权不得商用。

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