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一种半导体装置封装包含铜引线框、氧化铜化合物层和包封物。所述氧化铜化合物层与所述铜引线框的表面接触。所述氧化铜化合物层包含铜(II)氧化物，且所述氧化铜化合物层的厚度介于约50纳米至约100纳米的范围内。所述包封物与所述氧化铜化合物层的表面...
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