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本发明公开一种具有射线及中子综合屏蔽效果的钨硼层状材料，属于屏蔽材料技术领域。该钨硼层状材料由钨或钨合金、渗硼层组成，其中渗硼层的厚度为38~45μm，硼以硼化物的形式存在于渗硼层中，钨合金为Ni、Cu、Nb、Co、Mo、Cr或C元素与钨元...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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