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本实用新型公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单体，包括一N+硅基板，其具有漏极电极。低掺杂物浓度N型漂移层生长在该基板上面。具有比该漂移区更高掺杂物浓度的N型层随后形成及刻蚀，以具有侧壁。P‑井形成在该N型层中，而N...
该专利属于马克斯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克斯半导体股份有限公司授权不得商用。

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