下载具有平面沟道的垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管的技术资料

文档序号:17473967

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本实用新型公开了一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单体,包括一N+硅基板,其具有漏极电极。低掺杂物浓度N型漂移层生长在该基板上面。具有比该漂移区更高掺杂物浓度的N型层随后形成及刻蚀,以具有侧壁。P‑井形成在该N型层中,而N...
该专利属于马克斯半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过马克斯半导体股份有限公司授权不得商用。

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