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本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括栅极、发射极、集电极、四个N+区、两个P区、偏移区、缓冲区、注入区，所述偏移区、缓冲区、注入区由上至下依次叠放，两个P区嵌入偏移区上侧，两个P区之间形成第一隔离区间，栅极设置在两个P区之间；每两个...
该专利属于四川广瑞半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川广瑞半导体有限公司授权不得商用。

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