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本发明提出了一种阶梯高K介质层元素半导体纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要是在器件漂移区两侧形成阶梯的高介电常数(High K)介质层，High k介质层阶梯下方为低介电常数的介质层。器件关断时High K介质层通...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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