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一种双向NPN穿通型超低压TVS结构及其制备方法，随着半导体IC制造工艺最小线宽的不断降低，半导体IC的工作电压也变得越来越低，工作电压从最初的5V降低到3.3V，再从3.3V降低到2.5V，这就需要作为过压保护的TVS击穿电压也要相应的降...
该专利属于上海芯石半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯石半导体股份有限公司授权不得商用。

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