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本发明提供一种刻蚀方法、刻蚀装置及半导体晶圆分割方法。其中一种半导体晶圆分割方法包括如下步骤：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆上形成有多个集成电路，所述多个集成电路之间设有间隙；利用喷嘴喷出等离子体刻蚀气体对所述多个集成电路之间的间隙进行刻...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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