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本发明公开了在等离子蚀刻晶片衬底的过程中监测和控制所述晶片衬底的形变的方法和系统。所述方法包括以下步骤：将晶片衬底布置在工艺腔室内的台板组件上，以使晶片的整个上表面暴露；使工艺气体通入所述工艺腔室中；向所述台板组件施加射频偏置电压；在所述工...
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