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本发明公开了一种铝衬垫的刻蚀方法，包括如下步骤：步骤一、在晶圆最顶层的铝层表面生长钝化层；步骤二、采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出铝衬垫的形成区域，进行刻蚀形成铝衬垫；步骤三、去除光刻胶图形；步骤四、进行去除聚合物残留的后处理，包括分步骤：...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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