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本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，本发明的...该专利属于浙江昱辉阳光能源江苏有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江昱辉阳光能源江苏有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，该扩散工艺是在扩散炉中对晶体硅进行掺杂处理，包括如下流程：充气—恒压—放舟—升温过程—恒温过程—氧化—预扩散—升温分布—第一次恒温分布—扩散—第二次恒温分布—降温—再次充气—取舟，本发明的...