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本发明涉及一种4H‑SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法。该方法通过在发射极P...
该专利属于株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。

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