下载使用热处理的阻挡层形成的技术资料

文档序号:17443346

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底的表面之上形成阻挡层。通过使所述阻挡层的暴露表面经受表面处理工艺来形成经处理的阻挡层。所述表面处理工艺包括用反应性材料处理所述表面。在所述经处理的阻挡层之上形成材料层。所述材料层包括金属。...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。