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本申请公开了形成半导体器件的工艺。主要由氮化物半导体材料制成的半导体器件包括衬底上的GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN封盖层。所述势垒层和所述封盖层在梯度温度条件下生长，其中将衬底的相对于MOCVD技术的源气体的流动而言的上游侧的温度设...
该专利属于住友电工光电子器件创新株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电工光电子器件创新株式会社授权不得商用。

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