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本发明公开了一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法，一种提高霍山石斛移栽成活率的育苗方法依次包括以下步骤，1）配制移栽定植基质，2）将栽培土深翻20cm～30cm，曝晒2‑3天，再在表面撒上石灰石；3）将配制好的腐熟后的移栽定植基质覆盖在翻晒...
该专利属于杜名胜所有，仅供学习研究参考，未经过杜名胜授权不得商用。

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