温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种可用于深紫外极弱光探测的高纯纳米结构ZnGa2O4的制备方法。ZnGa2O4带隙宽度为4.4‑4.7eV，具有优异的热学和化学稳定性、较高的电子迁移率，能承受较高电流冲击，可用于深紫外光电探测器、发光二极管、低电压发光。本发...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。