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本发明公开了一种带空腔的氮化铟复合衬底，包括单晶硅衬底与氮化铟膜层，氮化铟膜层包括250~300nm的氮化铟缓冲层、2~4µm的氮化铟外延层、15~25µm的氮化铟厚膜层，氮化铟膜层形成有空腔。本发明中氮化铟复合衬底的空腔使得该氮化铟复合衬...
该专利属于董思言所有，仅供学习研究参考，未经过董思言授权不得商用。

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