温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于光电检测以及图像传感器领域，为实现在保证器件中心区域高电场的同时，抑制边缘电场，降低器件暗电流，为产业应用提供参考依据。本发明，两级台面铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管及其制备方法，结构包括N...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。