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本发明公开了石墨烯‑硅异质结光电探测芯片及其制备方法，探测芯片包括：硅衬底；框形SiO2绝缘层，位于硅衬底周围边界；界面钝化层，位于硅衬底之上；石墨烯层，位于界面钝化层之上；金属纳米结构层，位于石墨烯层之上。通过在芯片结构中引入金属纳米结构...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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