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本发明涉及一种集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法，其利用第二导电类型第一柱、第二导电类型第二柱与第一导电类型漂移层能形成所需的超结结构，源极金属通过第一欧姆接触孔与第二导电类型第一体区以及位于所述第二导电类型第一体区内的第一导电...
该专利属于贵州芯长征科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过贵州芯长征科技有限公司授权不得商用。

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