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本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，包括如下步骤：步骤一、提供表面形成有硅外延层的硅衬底并进行光刻刻蚀形成沟槽；步骤二、形成底部氧化层；步骤三、形成第一层多晶硅将沟槽完全填充；步骤四、进行热退火，利用热退火使第一层多晶硅再结...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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