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本发明涉及半导体的技术领域，更具体地，涉及一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构及其制备方法。一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET制备方法，包括下述步骤：首先提供所需衬底，在所述衬底上依次外延生长应力缓冲层...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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