温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种Si基垂直腔面发射芯片，结构包括从下到上排列的n型电极，衬底，缓冲层，位于衬底上的下分布式布拉格反射镜，位于下分布式布拉格反射镜上的有源区，位于有源区上的上分布式布拉格反射镜，位于上分布式布拉格反射镜上的p型电极以及位于圆柱...
该专利属于江苏点晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏点晶光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。