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本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，该雪崩光电二极管包括由上至下依次排列的N型重掺杂层、倍增层单晶衬底、金属键合层、吸收层InGaAs单晶衬底、P型重掺杂InGaAs层，通过金属键合层将倍增层单晶衬底和吸收层InGaAs单晶衬底键合...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学授权不得商用。

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