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本实用新型公开了空穴型半导体电控量子点器件。其包含非掺杂GaAs衬底(101)、非掺杂AlGaAs层(102)和表面非掺杂GaAs盖帽层(103)；欧姆接触源极(201)和漏极(204)，依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层(103)和非掺杂A...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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