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本实用新型涉及一种两段蒸馏多级冷凝的真空炉，属于真空冶金设备技术领域。该真空炉包括炉体、坩埚Ⅰ、坩埚Ⅱ、温控加热构件Ⅰ、温控加热构件Ⅱ、冷凝室、导气管、坩埚支架、支撑板Ⅰ、支撑板Ⅱ，坩埚支架固定设置在炉体底部，坩埚Ⅰ设置在坩埚支架上，支撑板...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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