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本发明公开了一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法，首先调节超导水平磁场强度，得到不同磁场强度下的固液界面氧浓度分布曲线，计算固液界面的平均氧浓度和固液界面径向氧浓度分布的均匀性，通过对比选取出合适的磁场强度，其次是在选取的磁场强...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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