温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。