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本发明公开了一种过压保护器金线偏移工艺参数的再优化方法，以金线偏移量最小为标准，运用微芯片封装模块对其进行工艺参数的数值模拟，结合正交试验选取最优工艺参数组合，并运用单因素变动实验和二次拉格朗日插值法对工艺参数组合进行再次优化，对比两次金线...
该专利属于贵州大学所有，仅供学习研究参考，未经过贵州大学授权不得商用。

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