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一种高Al组分AlxGa1‑xN三元合金微晶球及其制备方法，属于半导体合金材料制备的技术领域。该微晶球是不同Al组分纤锌矿结构AlxGa1‑xN三元合金晶体，Al组分可调范围为0.77≤x＜1，该微晶球平均直径为5.0μm。该微晶球的制备方...
该专利属于沈阳理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳理工大学授权不得商用。

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