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本发明提供一种砷化镓激光巴条及其制备方法，属于半导体激光器领域。包括：由下至上依次包括GaAs衬底、n‑GaAs缓冲层、n‑AlGaAs限制层、n‑AlGaAs波导层、有源区层、p‑AlGaAs波导层、p‑AlGaAs限制层、p‑GaAs顶...该专利属于山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过山西飞虹微纳米光电科技有限公司;太原理工大学授权不得商用。