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本发明公开了一种基于惠斯顿电桥结构的压力传感器及其制造方法,涉及半导体压力传感器技术领域；包括键合晶圆、键合介质、衬底、缓冲层、势垒层、金属导线、势垒层、空腔和欧姆电极，缓冲层5材料为氮化镓，势垒层6材料为InxAlyGa1‑x‑yN；保证...
该专利属于中国电子科技集团公司第十三研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十三研究所授权不得商用。

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