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本发明公开了一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片及其制备方法，芯片包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层、Al单晶金属薄膜层、p－GaN薄膜层、i－AlN薄膜层、n－ZnO层薄膜和单晶光子晶体薄膜层，采用p型GaN/n型ZnO异质结构，具...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学授权不得商用。

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