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本发明公开了一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法，包括以下步骤:首先，采用MOCVD技术，在衬底上依次生长未掺杂的GaN缓冲层、N型GaN层和有源层；然后，在有源层上生长电流阻挡层，注入Mg源；最后，在电流阻挡层上依次生长P型低温G...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司授权不得商用。

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