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本申请公开了一种LED芯片的制作方法，涉及LED制作技术领域，该方法依次包括：制作包含GaN基的LED外延片、沉积透明导电层、对透明导电层进行退火处理、制作发光区台面、去除P型GaN层边缘区域的透明导电层、沉积钝化层、制作P型电极、P型焊盘...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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