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本发明公开了一种黑磷场效应晶体管及其制备方法，该黑磷场效应晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、黑磷有源层以及源‑漏电极。其中，栅介质层由热氧化的氧化硅介质层与原子层沉积的氮化铝介质层叠层构成，氮化铝位于氧化硅的上方。此外，原子层...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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