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本发明公开了一种基于V2O5/Al2O3双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有技术器件导通电阻大，输出电流和跨导小以及击穿电压低的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3)，该栅介质层(3)采用...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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