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本发明的一个方式可以提供一种具有高开口率且包括高电荷容量的电容器的半导体装置。本发明的一个方式可以提供一种窄边框的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的晶体管；其上设置有晶体管的栅电极的面上的第一导电膜；其上设置有晶体...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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