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本发明提供一种基于氧化石墨烯/石墨烯微型发射区域的冷阴极结构及其制备方法。所述的冷阴极结构包括硅基底，垂直排列生长在硅基底上的ZnO纳米阵列，以及包覆在ZnO纳米阵列顶端的表面发射层；表面发射层由结构呈一体设置的氧化石墨烯区块和石墨烯区块组...
该专利属于西安石油大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安石油大学授权不得商用。

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