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本发明公开了一种晶体管及其制造方法，所述方法包含：(i)在基材上方形成金属氧化物半导体层；(ii)在金属氧化物半导体层的不同两侧上方形成源极和漏极；(iii)在源极、漏极以及金属氧化物半导体层上方形成介电层；(iv)在介电层上方形成含氢绝缘...
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