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本发明涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种高质量MOS界面的常关型GaN MOSFET结构及其制备方法。本发明利用二次外延高温生长的过程中，掩膜层与GaN界面形成的一层致密的介质层，有效地钝化了GaN材料表面悬挂键，在后续工艺过程中...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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