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本发明涉及微电子芯片生产制造领域，具体而言，提供了一种改善光刻标记对准精度的方法、超级结产品的制备方法及超级结产品。所述改善光刻标记对准精度的方法包括以下步骤：(a)对具有初始标记的外延片进行离子注入，离子注入的位置为初始标记的底部，注入的...
该专利属于吉林华微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过吉林华微电子股份有限公司授权不得商用。

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