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一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和第二区，第一区和第二区的半导体衬底上具有鳍部；在第一区的鳍部表面形成第一阻挡层；采用流体化学气相沉积工艺在半导体衬底上形成隔离膜，所述隔离膜覆盖第一阻挡层和第二区的鳍...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。