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本发明提供一种自对准双重构图方法、半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法采用新的自对准双重构图方法制作字线，增加了选择栅的刻蚀窗口，避免了由于刻蚀负载效应导致的刻蚀凹痕。该半导体器件和电子装置由于上述制作方法使得性能和良率提高。...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。