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本发明涉及一种碳化硅衬底垂直结构簿膜电子器件的制作方法，包括如下步骤：S1.在碳化硅衬底上进行离子注入，将碳化硅衬底由下至上分成衬底主体层、离子损伤层和以及位于离子损伤层上表面的碳化硅薄膜层；S2.在碳化硅薄膜层上制作电子器件层；S3.通过...
该专利属于朱元勋所有，仅供学习研究参考，未经过朱元勋授权不得商用。

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