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本发明提供一种掩膜图形缺陷的修复方法，涉及半导体技术领域。本发明的修复方法通过减小所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的像素，使所述掩膜缺陷图形或者所述正常掩膜图形的尺寸相应缩小，放大掩膜缺陷图形和正常掩膜图形之间的不同区，该不同区即为缺陷...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。